水平掺硅砷化镓单晶生长过程中位错的控制

功能材料, 2004, 35(z1): 3079-3080.

1.北京有色金属研究总院,国瑞电子材料有限责任公司,北京,100088

2.北京有色金属研究总院,国瑞电子材料有限责任公司,北京,100088

3.北京有色金属研究总院,国瑞电子材料有限责任公司,北京,100088

4.北京有色金属研究总院,国瑞电子材料有限责任公司,北京,100088

The control on EPD during growing HB-GaAs-Si single crystals

讨论了如何在水平砷化镓单晶生长过程中进行位错控制,通过控制熔区的长短,使单晶的生长过程更趋稳定,和控制生长界面的形状以及界面处的温度梯度,减少了位错的产生和增殖.采取以上措施可以在一定程度上降低位错.

上一张下一张

计量

作者相关

文章评分