磷锗锌多晶合成过程的中间生成物研究

人工晶体学报, 2013, 42(4): 558-562.

磷锗锌多晶合成过程的中间生成物研究

曹新玲 ^1, , 朱世富 ^2, , 赵北君 ^3, , 陈宝军 ^4, , 何知宇 ^5, , 王志超 ^6, , 张建强 ^7, , 杨登辉 ^8,

1.四川大学材料科学系,成都610064

2.四川大学材料科学系,成都610064

3.四川大学材料科学系,成都610064

4.四川大学材料科学系,成都610064

5.四川大学材料科学系,成都610064

6.四川大学材料科学系,成都610064

7.四川大学材料科学系,成都610064

8.四川大学材料科学系,成都610064

基金项目: 国家自然科学基金重点项目(50732005) 高等学校博士学科点专项科研基金资助课题(20090181120001)

关键词：磷锗锌 , 气相输运法 , 中间生成物

Study on Intermediates during Synthesis of ZnGeP2 Polycrystal

两温区气相输运法合成ZnGeP2多晶过程中,易生成一些高熔点的杂质,导致合成材料的纯度较低.选取ZnGeP2多晶合成过程中几个重要温度的合成产物,进行X射线衍射(XRD)和能谱色散分析(EDS),结果表明:ZnGeP2多晶合成过程的中间生成物主要为Zn3P2、ZnP2和GeP等.根据分析结果,对合成工艺进行了改进,合成出外观完整、内部致密的ZnGeP2多晶锭.用XRD进行分析,结果表明:改进工艺后合成的是高纯单相ZnGeP2多晶材料,为高质量单晶体生长奠定了可靠基础.

参考文献

[1]	Y. Shimony;O. Raz;G. Kimmel .On defects in tetragonal ZnGeP_2 crystals[J].Optical materials,1999(1):101-109.
[2]	Wang TY;Sivakumar R;Rai DK;Hsu WT;Lan CW .A new single step process for synthesis and growth of ZnGeP2 crystal[J].Journal of the Chinese Institute of Chemical Engineers,2008(4):385-387.
[3]	G.A Verozubova;A.I. Gribenyukov;V.V.Korotkova .Synthesis and growth of ZnGeP_2 crystals for nonlinear optical applications[J].Journal of Crystal Growth,2000(3/4):334-339.
[4]	杨慧光,朱世富,赵北君,赵欣,何知宇,陈宝军,孙永强.两温区气相输运和机械振荡合成ZnGeP2多晶材料[J].人工晶体学报,2008(03):557-560.
[5]	Growth and defect structure of ZnGeP_2 crystals[J].Journal of Crystal Growth,2010(8):p.1122.
[6]	G. A. Verozubova;A. I. Gribenyukov;Yu. P. Mironov .Two-Temperature Synthesis of ZnGeP_2[J].Inorganic materials,2007(10):1040-1045.
[7]	Qiang Fan;Shifu Zhu;Beijun Zhao;Baojun Chen;Zhiyu He;Jiang Cheng;Ting Xu .Influence of annealing on optical and electrical properties of ZnGeP_2 single crystals[J].Journal of Crystal Growth,2011(1):725-728.
[8]	赵欣,朱世富,程江.ZnGeP2多晶合成爆炸原因分析与工艺改进[J].半导体技术,2011(07):516-519,553.

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Study on Intermediates during Synthesis of ZnGeP2 Polycrystal

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