热丝CVD法沉积固态扩散源制备晶硅太阳电池p+/n+发射极研究

人工晶体学报, 2016, 45(11): 2591-2595.

热丝CVD法沉积固态扩散源制备晶硅太阳电池p+/n+发射极研究

宿世超 ^1, , 王涛 ^2, , 韩宇哲 ^3, , 田罡煜 ^4, , 黄海宾 ^5, , 高超 ^6, , 岳之浩 ^7, , 袁吉仁 ^8, , 周浪 ^9,

1.南昌大学光伏研究院,南昌,330031

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基金项目: 国家自然科学基金(61306084,61464007) 江苏省能量转换材料与技术重点实验室开放课题基金(NJ20160032) 江西省重点研发计划-技术引进与合作研究-重点项目(2016BBH80043)

关键词： HWCVD , 晶硅太阳电池 , 固态扩散源 , 发射极 , 方阻

p +/n + Emitter of the Crystalline Silicon Solar Cell Fabricated with Solid Diffusion Source Deposited by HWCVD Method

Keywords： HWCVD , crystalline silicon solar cell , solid diffusion source , emitter , sheet resistance

为进一步提高晶硅太阳能电池发射极的性能,本文提出了一种新的发射极制备技术-低温CVD法沉积固态薄膜扩散源并进行高温扩散.采用热丝化学气相沉积法(HWCVD)在单晶硅片上沉积重掺杂硅基薄膜作为固态扩散源,然后在空气氛围下的管式炉中进行高温扩散,最后用稀HF溶液去除表面的BSG/PSG.通过掺磷薄膜扩散在P型单晶硅片上制备了方阻在50～250 Ω/□范围内可控的n+型发射极;通过掺硼薄膜扩散在N型硅片上制备了方阻在150 ～600Ω/□□范围内可控的p+型发射极.并且通过在源气体中加入CO2作为氧源,实现了扩散后硅片表面残留扩散源层的彻底去除.

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