Ga源温度对共蒸发三步法制备Cu(In,Ga)Se2太阳电池的影响

人工晶体学报, 2014, 43(6): 1381-1386.

Ga源温度对共蒸发三步法制备Cu(In,Ga)Se2太阳电池的影响

刘芳芳 ^1, , 何青 ^2, , 周志强 ^3, , 孙云 ^4,

1.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津300071

2.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津300071

3.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津300071

4.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津300071

关键词： CIGS薄膜 , 太阳电池 , Ga梯度分布 , 二极管特性

Effects of Ga-source Temperature on Properties of Cu(In, Ga) Se2 Thin Films and Solar Cell Fabricated by Three-step Co-evaporation Technique

Keywords： CIGS thin film , solar cell , Ga gradient distribution , diode characteristic

利用共蒸发三步法制备了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,并通过调整制备工艺中的一、三步的金属镓(Ga)的温度,改变Ga含量的梯度分布,研究不同梯度分布对CIGS薄膜及电池性能的影响.从而优化了电池带隙梯度分布,使电池的开路电压Voc在提高的同时,最大程度的减小了Jsc的损失.优化后薄膜表面的结晶情况得到改善,电池的结界面和二极管特性也得到相应的提高.量子效率测试发现,优化后的CIGS太阳电池在较长波段中(520～1100nm)的光子吸收损失大大减小.

参考文献

[1]	共蒸发三步法制备CIGS薄膜的相变过程[J].人工晶体学报,2012(06):1519-1523.
[2]	刘芳芳,孙云,张力,何青,李长健.Cu（In,Ga）Se2薄膜太阳电池二极管特性的研究[J].人工晶体学报,2009(02):455-459.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

在本站搜索
刘芳芳何青周志强孙云
在百度学术搜索
刘芳芳何青周志强孙云
在万方数据库搜索
刘芳芳何青周志强孙云
在CNKI搜索
刘芳芳何青周志强孙云

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

Ga源温度对共蒸发三步法制备Cu(In,Ga)Se2太阳电池的影响

Effects of Ga-source Temperature on Properties of Cu(In, Ga) Se2 Thin Films and Solar Cell Fabricated by Three-step Co-evaporation Technique

参考文献