按同成分熔化点配料,采用改进了合成温控条件的双温区气相输运法成功合成出AgGaS2多晶原料,通过精确控温,有效避免了反应过程中由S蒸汽压过大引发的合成石英安瓿炸裂,提高了AgGaS2多晶合成的质量和成功率.经过XRD、DSC测试分析,结果表明:经改进方法合成的AgGaS2多晶材料是高纯单相、均匀致密的,为高质量AgGaS2单晶的生长提供了优质原料.
参考文献
| [1] | Zhao BJ.;Yu FL.;Li HY.;Gao DY.;Li ZH.;Zhu SF..Polycrystalline synthesis and single crystal growth of AgGaS2[J].Crystal Research and Technology: Journal of Experimental and Industrial Crystallography,19986(6):943-948. |
| [2] | 朱兴华;赵北君;朱世富;于丰亮;邵双运;宋芳;高德友;蔡力.AgGaS2单晶生长与完整性研究[J].人工晶体学报,2001(1):63-66. |
| [3] | 张伟;朱世富;赵北君;王瑞林;刘敏文;李一春.防止硫镓银多晶合成中容器爆炸的研究[J].南京理工大学学报(自然科学版),2004(1):52-56. |
| [4] | 张建军;朱世富;赵北君;王瑞林;李一春;陈宝军;黎明;刘娟.两温区气相输运温度振荡法合成AgGaS2多晶材料[J].四川大学学报（工程科学版）,2005(4):73-76. |
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