用反应溅射方法制备了非晶氧化铝薄膜;以Al/a-Al2O3/Al电容器为载体,研究了此种电容器的电容量,随样品放置时间的衰减过程及其影响因素,结论如下:(1)同一样品,高频下测得的电容随样品放置时间而变小的趋势相对于低频值要缓慢.(2)其它条件相同时,低的工作气压下形成的样品,其电容量不易随时间而改变.(3)真空中的低温热处理有助于改善时效过程.(4)时效的机制可能是样品中亚稳态的缺陷逐渐消失.这些缺陷跟缺氧和吸水没有必然联系,也不太可能是A12O3/Al的界面缺陷;它们的消失跟电老化也无必然联系.机制之一可能是氧过量引起的铝离子过配位的逐渐消失.
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