流延法制备氮化铝陶瓷基板

稀有金属材料与工程, 2008, 37(z1): 399-402.

流延法制备氮化铝陶瓷基板

刘志平 ^1, , 张金利 ^2, , 靳正国 ^3,

1.天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072

2.中国电子科技集团第十三研究所,河北,石家庄,050051

3.天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072

关键词：氮化铝基板 , 流延 , 高热导

Preparation of the AIN Ceramic Substrate by Tape Casting

通过对粉料特性、流延工艺、流延带质量、排胶、烧结以及成瓷显微结构的研究,制得了结构均匀无裂纹的生料带,获得了热导率为248 W/mK的高性能氮化铝陶瓷基板.

参考文献

[1]	Nobuyuki Kuramoto;Hitofumi Taniguchi;Isao Aso .[J].Ceramic Bulletin,1989,68(04):883.
[2]	Nobuyuki Kuramoto;Hitofumi Taniguchi;Isao Aso .[J].IEEE Transactions on Components Packaging and Manufacturing Technology,1986,9(04):386.
[3]	Kurokawa Y;Uteumi K;Takamizawa H et al.[J].IEEE Transactions on Components Packaging and Manufacturing Technology,1985,8(02):247.
[4]	Werdecker W;AidingerF .[J].IEEE Transactions on Comp Hybrids Manuf Technot,1984,7(04):399.
[5]	Borom M P;Slack G A;J Szymaszek W .[J].American Ceramic Society Bulletin,1972,52(11):852.
[6]	Komeya K;Tsuge A;Inoue H et al.[J].Journal of Materials Science Letters,1982,34(01):325.
[7]	Baranda P S;Knudsen A K;Ruh E .[J].Journal of the American Ceramic Society,1993,76(07):1761.
[8]	Baranda P S;Knudsen A K;Ruh E .[J].Journal of the American Ceramic Society,1994,77(07):1846.

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