电化学方法制备Si阵列微孔的工艺研究

原子核物理评论 , 2008, 25(3): 277-281.

1.中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州,730000;中国科学院研究生院,北京,100049

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基金项目: 国家自然科学基金(10775102)

Research on Fabrication Technology of Micro-pore Array in Silicon Using Electro-chemical Etching

对用电化学方法制备Si大孔阵列管坑工艺进行了初步探索. 通过对Si在KOH溶液中各向异性湿法蚀刻和在HF酸溶液中的电化学蚀刻过程中各种参数的摸索,确定在室温下制备大孔阵列的最佳配比浓度,蚀刻出符合要求的管坑阵列,为进一步制备结构化闪烁屏奠定了实验基础.

[1]	Xavier Badel.Electrochemically Etched Pore Arrays in Silicon for X-ray Imaging Detectors,KTH.Stockholm,Sweden:Royal Institute of Technology,Department of Microelectronics and Information Technology,Materials and Semiconductor Physics Laboratory,2005,24.
[2]	Huang Qingan.Silicon Micromachining.Beijing:Science Press,1996,51-56 (in Chinese).(黄庆安.硅微机械加工技术.北京:科学出版社,1996,51-56.)
[3]	Lehmann V.J Electrochem Soc,1990,137(2):3.

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