采用PLD法在LaAlO3(012)单晶衬底上外延生长了高、双掺杂La1/3(Ca2/3Sr1/3)2/3MnO3(LCSMO)薄膜.薄膜的X射线衍射谱表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且具有(012)方向的择优取向;用原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面相对比较平坦;在密封的液氮杜瓦瓶里用四探针法对薄膜的输运特性进行了测试,电阻-温度试验曲线表明,在温度77 K~400K的范围内薄膜呈现类半导体特性,没有金属-绝缘体转变温度(TMI)出现;薄膜的红外透射谱在606 cm-1处有一个很强的吸收峰,由红外透射谱计算出光学能隙Eopt大约为0.7 eV,薄膜的光学折射率为1.373.分析认为LCSMO薄膜的类半导体特性是由于A离子半径变化引起晶格畸变造成的.
参考文献
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