TiO2压敏陶瓷是一种新型的半导体双功能元件,具有压敏电压低、非线性系数大、介电常数高等许多突出的优点,广泛用于中低压领域中作为过电压保护和浪涌吸收元件.主要研究了烧结温度对TiO2压敏陶瓷电性能的影响.研究中发现,随着烧结温度的升高,TiO2压敏陶瓷有压敏电压降低、非线性系数升高的趋势.在1400℃烧结时显示出较低的压敏电压V1mA=5.12V·mm,较好的非线性系数a=5.2,和较高的介电常数εr=3.7×104.
参考文献
[1] | 张小文 .二氧化钛基压敏陶瓷制备及性能研究[D].昆明理工大学,2004. |
[2] | 张小文,甘国友,严继康,季惠明,陈朝霞.TiO2压敏电阻的现状与展望[J].材料导报,2003(08):41-43,50. |
[3] | Gupta T K .Application of zinc oxide varistors[J].Journal of the American Ceramic Society,1990,73(07):1817. |
[4] | 徐延献;沈继跃;薄占满.电子陶瓷材料[M].天津:天津大学出版社,1993:34. |
[5] | 李长鹏,王矜奉,陈洪存,苏文斌,钟维烈,张沛霖.掺钽的二氧化钛电容-压敏陶瓷电学性能研究[J].压电与声光,2001(02):113-115,123. |
[6] | 张小文,甘国友,严继康,陈敬超,杜景红.表面层对TiO2压敏陶瓷电学性能的影响[J].压电与声光,2005(03):260-262. |
[7] | Yang S L;Wu J M .Influence of in sintering time on (Ba,Bi,Nb)-addedTiO2 ceramics varistors[J].Journal of Materials Science Letters,1995,14:748. |
[8] | Pennewiss J;Hoffmann B .Varistors made from TiO2-practicalility and limits[J].Materials Letters,1990,9:219. |
[9] | 李标荣.无机介电材料[M].上海:上海科学技术出版社,1986 |
[10] | 关振.无机材料物理性能[M].北京:清华大学出版社,1992 |
[11] | 王评初;康颖 .低温烧结SrTiO3晶界势垒高度的研究[J].无机材料学报,1996,11(04):694. |
[12] | 吕文中;周东祥;龚树萍 .氧化物半导瓷中晶界势垒的起源[J].华中理工大学学报,1994,22(03):95. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%