La2O3掺杂对BST/MgO复合陶瓷显微结构和性能的影响

功能材料, 2007, 38(12): 2093-2096.

La2O3掺杂对BST/MgO复合陶瓷显微结构和性能的影响

周洪庆 ^1, , 杨春霞 ^2, , 王宇光 ^3, , 宋昊 ^4, , 刘敏 ^5,

1.南京工业大学,材料科学与工程学院,江苏,南京,210009

2.南京电子技术研究所,江苏,南京,210013

3.南京工业大学,材料科学与工程学院,江苏,南京,210009

4.南京工业大学,材料科学与工程学院,江苏,南京,210009

5.南京工业大学,材料科学与工程学院,江苏,南京,210009

关键词：铁电复合陶瓷材料 , 微观结构 , 调谐性

Effect of La2O3 doping on the microstructure and dielectric properties of BST/MgO composite ceramics

采用固相反应法制备了未掺杂和La2O3掺杂(0.5%、1%、2%(摩尔分数))的Ba0.55Sr0.45TiO3/MgO复合陶瓷材料,并研究了它们的显微结构和各种介电性能.研究结果表明,La2O3除一部分会进入BST晶格獭代Ba或Sr的位置外,还会有一部分与MgO等形成无定形态物质滞留在晶界,起到抑制BST晶粒生长的作用.BST/MgO复合陶瓷的居里温度随La2O3掺杂量的增大而降低,居里温度的降低导致了介电常数的减小.适量的La2O3掺杂提高了复合陶瓷的调谐性,而且La2O3掺杂明显降低了复合陶瓷的微波介电损耗.0.5%(摩尔分数)La2O3掺杂的BST/MgO复合陶瓷具有最佳的综合介电性能,其在10kHz下的调谐性为6.9%(2kV/mm),3.99GHz时的介电常数和介电损耗分别为87.5和3.35×10-3,基本可以满足铁电移相器的使用要求.

参考文献

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