采用射频磁控溅射法在普通玻璃衬底上制备了Ga2O3含量为3wt.％的掺镓氧化锌透明导电薄膜(GZO).通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪、台阶仪、UV-Vis-NIR3600型紫外-可见分光光度计研究了溅射时间对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响.结果表明,溅射时间为40 min时制备的GZO薄膜的光电综合性能最好,可见光区透过率峰值86％,方阻为16.4Ω/□,电阻率为1.18 ×10-3Ω·cm,性能指数ΦTc为4.73 ×10-3 Ω-1;随着溅射时间增加,薄膜光学带系从3.69 eV减少到3.56 eV.在溅射时间60 min时结晶度最高,方块电阻为9.0Ω/□,电阻率最低为9.7×10-4 Ω·cm,可见光透过率峰值为81％.
参考文献
| [1] | 廖亚琴;李愿杰;黄添懋.透明导电薄膜现状与发展趋势[J].东方电气评论,2014(1):13-18. |
| [2] | 刘玉萍;陈枫;郭爱波;李斌;但敏;刘明海;胡希伟.AZO透明导电薄膜的制备技术及应用进展[J].真空与低温,2007(1):1-5,20. |
| [3] | Shumei Song;Tianlin Yang;Yanqing Xin;Lili Jiang;Yanhui Li;Zhiyong Pang;Maoshui Lv;Shenghao Han.Effect of GZO thickness and annealing temperature on the structural, electrical and optical properties of GZO/Ag/GZO sandwich films[J].Current applied physics: the official journal of the Korean Physical Society,20102(2):452-456. |
| [4] | Kato H.;Sano M.;Miyamoto K.;Yao T..Growth and characterization of Ga-doped ZnO layers on a-plane sapphire substrates grown by molecular beam epitaxy[J].Journal of Crystal Growth,2002Pt.1(Pt.1):538-543. |
| [5] | H. J. Ko;Y. F. Chen;S. K. Hong.Ga-doped ZnO films grown on GaN templates by plasma-assisted molecular-beam epitaxy[J].Applied physics letters,200023(23):3761-3763. |
| [6] | 王丽;方亮;吴芳;谌夏;阮海波.透明导电GZO薄膜电学和光学性能的研究进展[J].半导体技术,2012(7):522-527,543. |
| [7] | 余旭浒;马瑾;计峰;王玉恒;张锡健;程传福;马洪磊.薄膜厚度对ZnO：Ga透明导电膜性能的影响[J].功能材料,2005(2):241-243. |
| [8] | Hao XT.;Ma J.;Zhang DH.;Yang YG.;Ma HL.;Cheng CF.;Liu XD..Comparison of the properties for ZnO : Al films deposited on polyimide and glass substrates[J].Materials Science & Engineering, B. Solid-State Materials for Advanced Technology,20021/2(1/2):50-54. |
| [9] | 刘一星;余亚斌;张丽;全军.纳米体系中发光能隙展宽的研究[J].物理学报,2008(11):6751-6757. |
| [10] | 马格林;曹全喜;黄云霞.红外和雷达复合隐身材料--掺杂氧化物半导体[J].红外技术,2003(4):77-80. |
| [11] | S.Liang;H.Sheng;Y.Liu.ZnO Schottky ultraviolet photodetectors[J].Journal of Crystal Growth,20012/4(2/4):110-113. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%