用HF+HNO.3溶液蚀刻单晶硅表面，通过扫描电镜表征其形貌和厚度变化，研究了蚀刻液浓度、蚀刻时间及温度对单晶硅化学蚀刻行为的影响.结果表明，温度对蚀刻速率的影响较大，温度升高使表面蚀刻不均匀，厚度急剧减小；硅片的厚度及表面形貌在蚀刻液浓度大于2.0 mol/L时变化较显著；室温时用1.5 mol/L HF+HNO3蚀刻15 min获得了蚀坑大小适中(10 μm～15 μm)、分布均匀的多孔状表面.
参考文献
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