MgO缓冲层上钡铁氧体(BaFe12O19)薄膜的制备与性能研究

功能材料, 2010, 41(7): 1130-1133.

MgO缓冲层上钡铁氧体(BaFe12O19)薄膜的制备与性能研究

丁美凤 ^1, , 朱俊 ^2, , 王水力 ^3, , 张菲 ^4, , 罗文博 ^5,

1.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

2.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

3.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

4.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

5.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

基金项目: 国家自然科学基金资助项目(50772019) 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(61363)

关键词：脉冲激光沉积(PLD) , BaM薄膜 , MgO缓冲层 , 面外磁性能

Growth and magnetic properties research of barium ferrite (BaFe12O19) films on MgO buffer

采用脉冲激光沉积(PLD)技术在(0006)取向的蓝宝石基片上,通过MgO缓冲层诱导生长了BaFe12O19(BaM)薄膜,研究了沉积温度对BaM薄膜的晶体结构和磁性能的影响规律.X射线衍射(XRD)分析结果表明,在激光脉冲频率6Hz、激光能量180mJ、MgO缓冲层的厚度50nm和沉积温度为750℃的条件下,制得的BaM薄膜c轴取向最好,其(0008)面的ω摇摆曲线半高宽(FWHM)仅为0.289°.扫描电子显微镜(SEM)结果显示此时薄膜的晶粒已有部分呈六角片状.振动样品磁强计(VSM)测试表明,在750℃时沉积的BaM薄膜面外饱和磁化强度为190A/m,剩磁比0.82,薄膜磁性能良好.

参考文献

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