采用粉末冶金法制备铁基触媒片,在六面顶压机上高温高压合成金刚石单晶.利用扫描电子显微镜(SEM)、光学显微镜(OM)等表征了不同成分的触媒以及同一触媒在不同合成时间条件下金刚石单晶的合成质量和合成后的铁基触媒组织.结果表明:当金刚石单晶合成质量较好时,合成后铁基触媒组织特征表现为初生板条状渗碳体分布较均匀,呈平行生长的条束,渗碳体的板条两边缘较平直,而且数量较多.触媒成分和合成时间是影响铁基触媒组织中初生渗碳体的数量和形态的主要因素.
参考文献
[1] | Pavel E;B(a)lut(a)l G;Giurgiu C et al.Effects of Pressure,Time,and Various Additives on the Crystallization of Graphite and (Fe_(1-x)Ni_x)_3C Carbide in the Fe-Ni-C System[J].Materials Characterization,1993,30:107-112. |
[2] | 许斌,李木森,宫建红,尹龙卫,崔建军,程开甲.人造金刚石金属包膜研究进展[J].人工晶体学报,2002(01):75-79. |
[3] | J. SUNG .Graphite → diamond transition under high pressure: A kinetics approach[J].Journal of Materials Science,2000(23):6041-6054. |
[4] | 沈主同.超高压下熔媒法人造金刚石合成机制研究的重要进展[J].人工晶体学报,2005(06):1035-1049. |
[5] | 王德新,王福泉,刘光海,陈祥安,郑振凯,刘建平.对触媒熔剂法金刚石生长的再认识(Ⅰ)--金刚石晶体生长的准稳定区[J].人工晶体学报,2001(04):404-412. |
[6] | 陈启武,熊湘君,陈犁.金刚石合成机制的研究[J].超硬材料工程,2005(01):26-30. |
[7] | Giardini A A;Tydings J E .Diamond Synthesis:Observations on the Mechanism of Formation[J].American Mineralogist,1962,47:1393-1422. |
[8] | Naka S;Tsuzuki A;Hirano S I .Diamond Formation and Behaviour of Carbides in Several 3d-transition Metal-graphite Systems[J].Journal of Materials Science,1984,19:259-262. |
[9] | 刘鹏,李木森,裴饴初,郝兆印,程开甲.铁碳化合物的制备及高温高压合成金刚石[J].机械工程材料,2000(03):31-32,35. |
[10] | 王勇,刘鹏,李木森,郝兆印,李云凯.新型碳源和触媒合成金刚石的研究[J].金刚石与磨料磨具工程,2002(01):14-15,18. |
[11] | Yin LW.;Li MS.;Liu YX.;Xu B.;Liu P.;Hao ZY. .Diamond homo-epitaxial growth from iron carbide under high temperature-high pressure[J].Chemical Physics Letters,2002(3-4):211-218. |
[12] | 许斌,宫建红,李木森,崔建军,许爱民,高洪吉.铁基金属包膜内Fe3C的行为与高温高压金刚石单晶生长[J].金属学报,2005(10):1101-1105. |
[13] | 胡赓祥;钱苗根.金属学[M].上海:上海科学技术出版社,1980:48-55. |
[14] | Strong H M;Chrenko R M .Further Study on Diamond Growth Rates and Physical Properties of Laboratory-made Diamond[J].Journal of Physical Chemistry,1971,75(12):1838-1843. |
[15] | 崔建军,许斌,宫建红,万桂怡,李木森,李洪岩.铁基触媒中金刚石单晶的生长对初生渗碳体的消耗[J].人工晶体学报,2006(02):363-366,377. |
[16] | 周继扬.铸铁彩色金相学[M].北京:机械工业出版社,2002:190-224. |
[17] | Li D;Herlach D M .Direct Measurements of Free Crystal Growth in Deeply Under Cooled Melts of Semiconducting Materials[J].Physical Review Letters,1996,77(09):1801-1807. |
[18] | 胡汉起.金属凝固原理[M].北京:机械工业出版社,2000:98-107. |
[19] | 张克丛;张乐潓.晶体生长科学与技术[M].北京:科学出版社,1997:57-161. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%