铝、碳共掺提高MgB2临界电流密度

低温物理学报 , 2009, 31(1): 20-24.

铝、碳共掺提高MgB2临界电流密度

杨烨 ^1, , 周杰佛 ^2, , 崔雅静 ^3, , 张勇 ^4, , 赵勇 ^5,

1.磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室西南交通大学超导研究开发中心,西南交通大学165#信箱,成都,610031

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基金项目: 国家重点基础研究发展规划(973计划)(2007CB616906) 国家自然科学基金(50372052.50588201) 西南交通大学青年教师科研起步基金(2007Q014) 教育部长江学者和创新团队发展计划(IRT0751)

关键词： MgB2 , 二硼化镁 , 磁通钉扎

IMPROVING CRITICAL CURRENT DENSITY OF MgB2 BY CODOPING WITH C AND AI

本文研究了在MgBq超导体中Al,C及两种元素共同掺杂时对样品的超导转变温度,不可逆场和临界电流的影响.研究发现,少量的铝掺杂可以提高MgB2超导材料在低场下的临界电流密度,但由于对Tc的抑制而降低其在高场下的载流能力,而碳掺杂则可以有效提高MgB2超导材料的上临界场和不可逆场,从而达到改善其在高场下的载流能力的目的.研究发现,在0-7T外磁场范围内,1%铝和1%碳共同掺杂的样品表现出最佳的载流性能.钉扎力曲线的分析也应证了这一结果.

参考文献

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