退火对NiCo薄膜各向异性磁电阻(AMR)的影响

功能材料, 2004, 35(z1): 813-819.

退火对NiCo薄膜各向异性磁电阻(AMR)的影响

季红 ^1, , 季勇 ^2, , 周萍 ^3, , 郑鹉 ^4, , 王艾玲 ^5, , 姜宏伟 ^6,

1.首都师范大学,物理系,北京,100037

2.首都师范大学,物理系,北京,100037

3.首都师范大学,物理系,北京,100037

4.首都师范大学,物理系,北京,100037

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6.首都师范大学,物理系,北京,100037

关键词：各向异性磁电阻(AMR) , 织构 , 晶粒尺寸 , NiCo薄膜

Influence in anisotropic magnetoresistance of thin NiCo films by post-annealing

用磁控溅射法制备了以NiFeCr和Ta分别为缓冲层的两种NiCo薄膜样品,在200、300、400℃温度下对两种样品退火.结果表明,不同的退火温度导致样品AMR值不同,在退火200℃时样品AMR值最大,超过200℃退火磁电阻急剧下降.XRD和摇摆曲线的结果都表明,退火后晶粒的平均晶粒尺寸都会长大,晶内缺陷减少.振动样品磁强计(VSM)测量的结果显示,退火后样品的磁矩有所减小,矫顽力增大,表明缓冲层与NiCo磁薄膜之间有扩散现象.

参考文献

[1]	Lee W Y;Toney M F;Mauri D .[J].IEEE Transactions,2000,36(01):381-385.
[2]	Lee W-Y;Toney M F .[J].Journal of Applied Physics,2000,87:9.
[3]	Hiroshi Funaki;Satoshi Okamoto;Osamu Kitakami et al.[J].Japanese Journal of Applied Physics,1994,33:1304-1306.
[4]	Mayadas A P;Janak J P;Gangulee A .[J].Journal of Applied Physics,1974,45:2780.
[5]	Nagura H;Saito K;Takanashi K .[J].Journal of Magnetism and Magnetic Materials,2000,212:53.

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