针对垂直转盘式MOCVD反应器生长AlN的化学反应-输运过程进行数值模拟研究,特别探讨了反应室高度、操作压强和加合物衍生的三聚物对AlN生长的化学反应路径的影响.研究结果表明,AlN在MOCVD生长中以Al(CH3)3和NH3的加合路径为主,Al(CH3)3的热解路径很弱;加合路径衍生的二聚物是薄膜生长的主要前体,三聚物是纳米粒子的主要前体;降低反应室高度,寄生反应减弱,热解路径加强,使生长速率增大;增大压强,寄生反应加剧,使生长速率下降;添加由三聚物参加的表面反应后,生长速率提高了近4倍,证明三聚物不参加薄膜生长,只是提供纳米粒子前体.
参考文献
| [1] | Stacia Keller;Steven P. DenBaars .Metalorganic chemical vapor deposition of group Ⅲ nitrides―a discussion of critical issues[J].Journal of Crystal Growth,2003(0):479-486. |
| [2] | J. Randall Creighton;George T. Wang;William G. Breiland;Michael E. Coltrin .Nature of the parasitic chemistry during AlGaInN OMVPE[J].Journal of Crystal Growth,2004(2/3):204-213. |
| [3] | Dadgar A;Krost A;Christen J;Bastek B;Bertram F;Krtschil A;Hempel T;Blasing J;Haboeck U;Hoffmann A .MOVPE growth of high-quality AlN[J].Journal of Crystal Growth,2006(2):306-310. |
| [4] | Mihopoulos TG.;Jensen KF.;Gupta V. .A reaction-transport model for AlGaN MOVPE growth[J].Journal of Crystal Growth,1998(1/4):733-739. |
| [5] | Takeshi Uchida;Kazuhide Kusakabe;Kazuhiro Ohkawa .Influence of polymer formation on metalorganic vapor-phase epitaxial growth of AlN[J].Journal of Crystal Growth,2007(1):133-140. |
| [6] | 徐楠,左然,何晓焜,于海群.垂直转盘式MOCVD反应器中GaN化学反应路径的影响研究[J].人工晶体学报,2012(04):1107-1112. |
| [7] | 于海群,左然,徐楠,何晓崐.垂直式MOCVD反应器中热泳力对浓度分布的影响分析[J].人工晶体学报,2012(04):1059-1065. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%