Si基Au催化合成镁掺杂GaN纳米线

功能材料, 2009, 40(2): 233-235.

Si基Au催化合成镁掺杂GaN纳米线

黄英龙 ^1, , 薛成山 ^2, , 庄惠照 ^3, , 张冬冬 ^4, , 王英 ^5, , 王邹平 ^6, , 郭永福 ^7, , 刘文军 ^8,

1.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014

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基金项目: 国家自然科学基金(90301002) 国家自然科学基金重大项目(90201025)

关键词：磁控溅射 , GaN纳米线 , Mg , 氨化

Synthesis of Mg-doped GaN nanowires by Au catalysis on Si substrates

通过一种新奇的方法在硅衬底上成功地合成了掺杂镁的氮化镓纳米线,用金属镁粉末作为掺杂源,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化Ga2P3薄膜制备GaN纳米线.X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)和能量弥散X射线谱(EDX)的分析结果表明,采用此方法得到的GaN纳米线为六方纤锌矿结构,纳米线的直径大约在60～100nm之间,纳米线的长约十几个微米.EDX分析表明纳米线掺杂了镁.室温下以325nm波长的光激发样品表面,发现由于镬的掺杂使GaN的发光峰有较大的蓝移.最后,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.

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