为了获得等离子体显示器的介质保护膜,利用离子束辅助沉积技术制备了致密的MgO薄膜;通过X射线衍射仪、扫描电镜、光电子能谱分析了MgO薄膜的特性及特性和工艺参数之间的关系.结果表明:薄膜主要显示(200)晶面的择优取向;从断面形貌、密度及折射率来看,离子束辅助沉积制备的MgO薄膜比电子束蒸发制备的MgO薄膜更致密,薄膜和基底间的结合力更强:离子能量,基底温度,沉积速率及退火处理影响薄膜的结晶,离子能量为1keV时,薄膜结晶性最好,在离子能量固定为1keV时,基底温度或沉积速率降低都能提高薄膜的结晶度;空气中退火有助于薄膜的进一步生长.
参考文献
| [1] | Toshinori Urade;Toshiaki Iemori;Mitsuoki Osawa et al.[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1976,23(02):313-318. |
| [2] | Wei-Yung Hsu;Rishi Raj .[J].Applied Physics Letters,1992,60(25):3105-3107. |
| [3] | Aboelfotoh M O .[J].Applied Pnys Lett,1974,24(08):347-349. |
| [4] | Yasuhisa Kaneko;Nobuo Mikoshiba .Tsutomu Yamashita Jpn[J].Journal of Applied Physics,1991,30(05):1091-1092. |
| [5] | Yadavalli S;Yang M H;Flynn C P .[J].Physical Review B,1990,41(11):7961-7963. |
| [6] | Keiichi Nashimoto;Dacid K Fork .[J].Applied Physics Letters,1992,60(10):1199-1201. |
| [7] | Ichiro Kouwa;Takao Kanehara;Juro Mita .[J].Journal of the Electrochemical Society,1995,142(05):1396-1401. |
| [8] | Eun-Ha Choi;Hyun-Joo Oh;Young-Guon Kim et al.[J].Japanese Journal of Applied Physics,1998,37(12B):7015-7018. |
| [9] | Masaki Aoki;Hideo Torii;Fiji Fujii et al.Plasma Display panel with protective Layer of an Aikaline Earth Oxide[P].US:5770921,1998. |
| [10] | Ushio Y;Banno T;Matuda N et al.[J].THIN SOLID FILMS,1988,167:299-308. |
| [11] | Bauer E;Poppa H .[J].THIN SOLID FILMS,1972,12:167-185. |
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