欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

采用磁控反应溅射方法,在Si(100)衬底上沉积c-BN薄膜.研究了溅射气压和沉积时间对薄膜结构的影响.结果表明.随溅射气压的升高或沉积时间的增加,都是削弱荷能粒子对衬底表面的轰击效果,并导致薄膜中c-BN相含量的减小.

参考文献

[1] SokolowskiM .[J].Journal of Crystal Growth,1979,46:136.
[2] Powers M J;Benjamin M C et al.[J].Applied Physics Letters,1995,67:3912.
[3] Ronning C.;McCarson BL.;Schlesser R.;Sitar Z.;Davis RF. Ward BL.;Nemanich RJ.;Banks AD. .Structural and electronic properties of boron nitride thin films containing silicon[J].Journal of Applied Physics,1998(9):5046-5051.
[4] Zhang X W;Wang B et al.Letters[J].Materials Letters,2000,43:148.
[5] Deng J X;Wang B et al.[J].Diamond and Related Materials,2000,9:1779.
[6] 王波;宋雪梅 等.[J].北京工业大学学报,1999,25(03):15.
[7] ZhangXW;YueJ et al.[J].Thin Solid Films,1998,315:202.
[8] Friedmann T A;Mirkarimi P B et al.[J].Journal of Applied Physics,1994,76:3088.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%