利用压汞法、SEM和EDS等分析手段对石墨及化学气相沉积SiC组织结构进行了研究.石墨试样的比表面测试显示:经2200℃高温处理石墨试样的比表面积较未处理试样增大了近34%.石墨试样的孔径分布显示:高温处理石墨试样的孔径分布在<10 nm和>200 nm有所增加,而界于两者之间的中型孔径分布略有降低,从而证明了热处理中大量原子发生一定范围的重排.SEM和EDS分析表明,高温处理过的石墨沉积SiC具有CVI结构特征;经过高温处理的石墨SiC沉积呈CVI特征,而未经高温处理石墨沉积的SiC呈典型CVD特征.对CVD SiC/graphite再经1600℃处理,对强度影响不大.
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