埋入式厚膜多层电容器的制备及其性能研究

稀有金属材料与工程, 2007, 36(z1): 954-956.

埋入式厚膜多层电容器的制备及其性能研究

施建章 ^1, , 汪宏 ^2, , 沈智元 ^3, , 王楠 ^4, , 姚熹 ^5,

1.西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710049;西安电子科技大学技术物理学院,陕西,西安,710071

2.西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710049

3.西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710049

4.西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710049

5.西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710049

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2002CB613302) 国家自然科学基金(50572085)

关键词：埋入式电容 , 丝网印刷 , 低温共烧陶瓷(LTCC) , 多层电容器

Preparation and Properties of Embedded Thick Film Multilayer Capacitor

以可低温共烧的高介电常数微波陶瓷材料BiNbO4(ε r=43)和Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN,εr=76)为介质材料,在Al2O3陶瓷(εr=9.8)基板上采用厚膜印刷的方法制备了埋入式多层电容器.利用HP4294A精密阻抗分析仪对其电学参数进行了测试和分析,并利用三维电磁场仿真软件HFSS对其电学特性进行了仿真和优化设计.实验研究表明,采用本材料体系制备的埋入式厚膜多层电容器可以获得相当大的单位电容C0(717.5～744.3 pF/cm2);并且其电学特性相当稳定,基本不受基板和上层电路板的影响.基于本材料体系的埋入式厚膜多层电容器可望在移动通讯组件和微波集成器件等领域得到广泛的应用.

参考文献

[1]	Jillek W;Yung W K C .[J].The International Journal of Advanced Manufacturing Technology,2005,25(03):350.
[2]	Shah V G;Hayes D J .[J].PC FAB,2002,9:32.
[3]	Snogren R .[J].PC FAB,2002,11:26.
[4]	Savic J;Croswell RT;Tungare A et al.[J].Circuitree,2002,6:10.
[5]	Savic J;Croswell RT;Tungare A et al.[J].IPC Review,2002,5:7.
[6]	Felten J;Snogren R;Zhou J .[J].IPC Review,2002,11:9.

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