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用直流磁控溅射在室温Si基片和载玻片上制备了厚度为7.6~81.3nm超薄Au膜,用X射线衍射及数字电桥对薄膜的微结构和电学性质进行了测试分析.微结构分析表明:制备的超薄Au膜仍为面心立方多晶结构;在膜厚d<46.3nm时,(111)晶粒平均晶粒尺寸随膜厚增加逐渐增大,当d>46.3nm后,晶粒尺寸几乎保持不变,甚至有所减小;(220)晶粒的平均晶粒尺寸则总是随膜厚的增加而增大.薄膜晶格常数均比PDF标准值(0.4078nm)稍小,随膜厚增加,薄膜晶格常数由0.4045nm增大到0.4077nm.电阻率分析结果表明,随着膜厚的增加,薄膜的电阻率经历了岛状膜的极大-网状膜的急剧减小-连续膜的缓慢减小.膜厚d>46.3nm后,由于薄膜中长出新的(111)小晶粒,电阻率略有增加.

参考文献

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