MOCVD法在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜的性能研究

人工晶体学报, 2015, 44(7): 1790-1805.

MOCVD法在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜的性能研究

1.上海应用技术学院,上海,201418

2.上海应用技术学院,上海,201418

3.上海应用技术学院,上海,201418

4.江西晶能光电股份有限公司,南昌,330029

基金项目: 上海应用技术学院人才计划项目(YJ2014-04) 上海联盟计划项目(LM201318) 国家自然科学基金青年基金(51302171) 上海市产学研合作项目(沪CXY-2013-61) 上海市学科能力建设项目(14500503300)

关键词：蓝宝石 , GaN薄膜 , MOCVD

Properties of GaN Thin Film Grown on Sapphire Substrate by MOCVD Method

Keywords： sapphire , GaN film , MOCVD

本文采用MOCVD法分别在a面和c面蓝宝石衬底上生长出7层InGaN/GaN多量子阱结构的GaN薄膜,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪、吸收光谱等手段对样品进行表征.分析表明:a面蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜(样品A)的FWHM为781.2 arcsec,c面蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜(样品B)的FWHM为979.2 arcsec.样品A和样品B中存在的压应力分别为0.8523 GPa和1.2714 GPa,薄膜的能带宽度(理论值为3.4 eV)分别为3.38 eV和3.37 eV.以上数据表明a面蓝宝石衬底上生长出来GaN薄膜的结晶质量较好,光学性能更优异.

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