对有机/无机光电探测器PTCDA/p-Si样品的表面进行得AFM扫描看出,PTCDA呈岛状生长,各岛成圆丘状,岛的分布不均匀,PTCDA层中存在大量缺陷.原因是p-Si(100)衬底的表面原子悬挂键的作用,使硅原子横向移动满足键合需要形成台阶和其它缺陷引起的.将样品表面的XPS全谱及精细谱与表面的AFM扫描图进行对比分析,得出PTCDA在p-Si基底上的生长模式,即:PTCDA首先在缺陷处聚集,形成许多三维岛状的PTCDA晶核,然后在PTCDA离域大π键的作用下,相邻的两层PTCDA分子存在一定程度的交叠,最终形成岛状结构.与硅衬底原子结合的过程为:苝环与缺陷处的Si原子结合,而酸酐基团与表面完整处的Si结合.结合时,苝环结构保持不变,而酸酐基团与Si发生化学反应,使酸酐中的CO键断开,形成SiCO和硅氧化物.对PTCDA/p-Si样品的界面的XPS全扫描谱和精细图谱进行分析后,进一步验证了PTCDA在p-Si基底上的生长模式.
参考文献
| [1] | Forrest S R;Zhang Y.[J].PHYSICAL REVIEW B,1994(16):11297-11308. |
| [2] | Forrest S R;Burrows P E;Haskal E I.[J].PHYSICAL REVIEW B,1994(16):11309-11321. |
| [3] | Mbus M;Karl N.[J].Journal of Crystal Growth,1992(02):495. |
| [4] | Mathine D L;Woo H S;He W.[J].Applied Physics Letters,2000(26):3849-3851. |
| [5] | Zhang Fu-jia;Wang De-ming;Zhang De-jiang.[J].Chinese Semiconductor Optoelectronics:182. |
| [6] | Zhang Fu-jia;Shao Jia-feng;Zhang De-jiang.[J].Journal of Luminescence,1999(04):351-357. |
| [7] | Zhang Fu-jia;Wang De-ming.[J].Journal Gansu Sciences,2000(01):1. |
| [8] | Tu King·Ning;Mayer J W;Feldman L C.Electronic Thin Film Sciences:for Electrical Engineers and Material Scientists[M].America:Macmillan College Publishing Company;Inc Press,1992 |
| [9] | 吴自勤;王兵.薄膜生长[M].北京:科学出版社,2001 |
| [10] | Cheng LF.;Lai WY.;Sun XH.;Wong NB.;Lee CS.;Lee ST.;Liao LS. .Effect of deposition rate on the morphology, chemistry and electroluminescence of tris-(8-hydroxyqiunoline) aluminum films[J].Chemical Physics Letters,2000(3-4):418-422. |
| [11] | Wang Yun-zhen;Jiang Chang-gen.[J].Chinese Journal of Semiconductors(06):596-601. |
| [12] | Hirose Y;Kahn A;Aristov V.[J].PHYSICAL REVIEW B,1996(19):13748-13758. |
| [13] | Arias A C;Roman L S;Kugler T.[J].THIN SOLID FILMS,2000(15):201-206. |
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