采用Si和TiC为原料, 通过反应热压可制得纳米SiC粒子复合的TiSi2材料, 生成的纳米SiC粒子聚集分布在TiSi2基体中, SiC粒子与TiSi2的同没有晶界相存在, 但由于残余应力的作用, TiSi2晶格发生扭曲并有位错出现.
参考文献
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