添加Sb的Ga2Te3合金热电性能

稀有金属材料与工程, 2011, 40(5): 849-852.

添加Sb的Ga2Te3合金热电性能

付红 ^1, , 应鹏展 ^2, , 崔教林 ^3, , 颜艳明 ^4, , 张晓军 ^5,

1.中国矿业大学,江苏,徐州,221116

2.中国矿业大学,江苏,徐州,221116

3.宁波工程学院,浙江,宁波,315016

4.中国矿业大学,江苏,徐州,221116;宁波工程学院,浙江,宁波,315016

5.中国矿业大学,江苏,徐州,221116;宁波工程学院,浙江,宁波,315016

基金项目: 国家自然科学基金(50871056)

关键词： Ga1.9Sb0.1Te3 , 微结构 , 热电性能

Thermoelectric Properties of Sb-Doped Ga2Te3Alloy

本研究采用等摩尔分数的Sb元素替换Ga2Te3中的Ga元素,并利用放电等离子烧结技术制备Ga1.9Sb0.1Te3合金,研究其微观结构和热电性能.结果表明,添加Sb元素后,材料的Seebeck系数为130～240μV/K,明显低于单晶Ga2Te3,电导率为3600～1740Ω-1·m-1,至少是单晶Ga2Te3的17倍,热导率提高近25%.在649K时Ga1.9Sb0.1Te3合金的热电优值(ZT)达到最大值0.1,是同温度下单晶Ga2Te3ZT值的3倍.

参考文献

[1]	Kurosaki K;Matsumoto H;Charoenphakdee A et al.[J].Applied Physics Letters,2008,93:012101.
[2]	Mukherjee A K;Dhawan U;Kundra K D et al.[J].Bulletin of Materials Science,1980,2(01):55.
[3]	Wensierski Hv;Weitze D;Leute V .[J].Solid-State Ionicis,1997,101:479.
[4]	Teraguchi N;Kato F;Konagai M et al.[J].Applied Physics Letters,1991,59:567.
[5]	Guymont M;Tomas A;Guittard M .[J].Philosophical Magazine,1992,66:133.
[6]	Alapini F;Flahaut J;Guittarad M et al.[J].Solid-state chemistry,1979,28:309.
[7]	Klemm W;Vogl H U V;Anorg Z .[J].Allgemeine Chemie,1934,219:45.
[8]	Cui J L;Xue H F;Xiu W J .[J].Intermetallics,2007,15:1466.
[9]	陈东勇;应鹏展;崔教林 et al.[J].功能材料,2008,39:322.
[10]	高敏;张景韶;Rowe D M.温差电转换及其应用[M].Beijing:Weapon Industry Publishing Company,1996:70.
[11]	Yoneda S.;Kaibe HT.;Ohsugi IJ.;Miyamoto K.;Nishida IA.;Ohta E. .Crystal growth of PbTe doped with PbI2 by the physical transport method[J].Journal of Crystal Growth,1999(1/2):229-232.

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