为进一步揭示Ga在SiO2/Si系统下的完整扩散特性和分布行为,利用扩展电阻(SRP)分析方法,对恒定源、限定源,二次氧化(指磷扩散的再分布过程)不同温度和气氛,Ga在近硅表面微区域浓度连续性变化状态进行了系统研究.结果表明,恒定源掺杂过程有Ga的低浓度区形成;限定源再分布过程Ga出现反扩散特性;二次氧化过程Ga产生异常分凝特性.上述分布行为的综合效果,导致近硅表面Ga的浓度处于耗尽状态.对Ga的表面耗尽,可通过适当的工艺方法给予补偿,因此Ga基区晶体管的电学性能仍然优于同类产品.
参考文献
| [1] | 王占国 .Exploration on Enhancing Innovation Capability of Functional Information Materials in China[J].稀有金属材料与工程,2001,30(zk):26-31. |
| [2] | 宋培凯;周辉放;李旺兴 .The New Development of Gallium and Its Extraction Method[J].稀有金属材料与工程,2001,30(zk):514-516. |
| [3] | Mogul H C;Steckl A J et al.Electrochemical CapacitanceVoltage Depth Profiling of Nanometer-Scale Layers Fabricated by Ga+Focused Ion Beam Implantation into Silicon[J].Applied Physics Letters,1992,61(05):554-556. |
| [4] | Steckl A J;Mogul H C;Mogren S M .Electrical Properties of Nanometer-Scale Si p+-n Junctions Fabricated by Low Energy Ga+ Focused Ion Beam Implantation[J].Journal of Vacuum Science and Technology,1991,B9(05):2718-2721. |
| [5] | 裴素华,薛成山,赵善麒.开管镓扩散系统的研究及在电力半导体器件中的应用[J].半导体学报,1998(12):940. |
| [6] | 孙英;王冈英 .Analysis of P-Type Diffusion Region(Gallium Diffusion in SiO2/Si System)[J].半导体学报,2002,23(10):1088-1091. |
| [7] | 张晓华;裴素华;修显武 .Investigation of Ga Segregation at SiO2-Si Interface[J].稀有金属材料与工程,2001,30(zk):560-564. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%