采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,电子交换关联能结合广义梯度近似(GGA)PW91形式,对Al原子不同掺杂位置的ZnO超原胞进行了几何优化,计算分析了晶体结构参数及掺杂模型的电子结构.结果表明,几何优化后掺杂晶胞z轴方向出现收缩现象,两种模型在杂质掺入后半导体ZnO导电能力提高,形成置换杂质模型的可能性要大于间隙杂质模型,掺杂Al和基体ZnO的原子数配比直接影响导电性能,最后给出了电子轨道跃迁规律.
参考文献
[1] | Pearton S J;Norton D P et al.[J].Progress in Materials Science,2005,50:293. |
[2] | Zhang Y B;Sritharan T et al.[J].Physical Review B:Condensed Matter,2006,73:172404. |
[3] | Chen L L;Ye Z Z;Lu J G et al.[J].Applied Physics Letters,2006,89:252113. |
[4] | Ye Z Z;Fei Z G et al.[J].Journal of Crystal Growth,2004,265:127. |
[5] | Kim K J;Park Y R et al.[J].Applied Physics Letters,2001,78:475. |
[6] | Sabine T M;Hogg S et al.[J].Acta Crystallographica Section B:Structural Science,1969,25:2254. |
[7] | Katayama-Yoshida H.;Sato K. .Materials design for semiconductor spintronics by ab initio electronic-structure calculation[J].Physica, B. Condensed Matter,2003(2/4):337-343. |
[8] | Car R;Parrinello M et al.[J].Physical Review Letters,1985,55:2471. |
[9] | Vanderbih D et al.[J].Physical Review B:Condensed Matter,1990,41:7892. |
[10] | Matsuura Y et al.[J].Sensors and Actuators B:Chemical,1991,5:205. |
[11] | Ren CY;Chiou SH;Hsue CS .Ga-doping effects on electronic and structural properties of wurtzite ZnO[J].Physica, B. Condensed Matter,2004(1/4):136-142. |
[12] | Shi Y J;Du Y L;Chen G et al.[J].Applied Physics Letters,2007,368:495. |
[13] | Kobayashi A et al.[J].Physical Review B:Condensed Matter,1983,28:946. |
[14] | 朱兴文,李勇强,陆液,李英伟,夏义本.[101]取向Li掺杂ZnO薄膜光学性能的研究[J].无机材料学报,2007(02):359-362. |
[15] | 邱东江;余萍 等.[J].浙江大学学报,2006,40:1873. |
[16] | 段满溢;徐明 等.[J].物理学报,2007,56:5359. |
[17] | 冯晶,肖冰,陈敬超.CuInSe2电子结构与光学性质的第一性原理计算[J].物理学报,2007(10):5990-5995. |
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