利用脉冲激光沉积在不同真空度下制备了不同La/O的La-Mo薄膜阴极,测量其发射性能并进行了原位AES分析,讨论了氧在镧钼阴极热电子发射中的作用.过多的氧易形成稳定的氧化镧,不利于电子发射;适当比例的氧可以减缓镧的蒸发,有助于阴极的稳定工作.La-O化合物中氧空位的形成有利于阴极的电子发射,氧缺位增强了镧氧化合物的半导体性.
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