热处理温度对FeCoSiB薄膜及FeCoSiB/Cu/FeCoSiB三明治膜应力阻抗效应的影响

功能材料, 2005, 36(4): 516-518.

热处理温度对FeCoSiB薄膜及FeCoSiB/Cu/FeCoSiB三明治膜应力阻抗效应的影响

张万里 ^1, , 蒋洪川 ^2, , 杨国宁 ^3, , 彭斌 ^4, , 张文旭 ^5, , 张永强 ^6,

1.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

2.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

3.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

4.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

5.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

6.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

基金项目: 国家预研基金(51412010304DZ0238)

关键词：磁弹性 , 应力阻抗效应 , FeCoSiB , FeCoSiB/Cu/FeCoSiB , 磁场热处理

Influence of annealing temperature on stress impedance effect of FeCoSiB films and FeCoSiB/Cu/FeCoSiB sandwich layers

采用DC磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB三明治膜,并进行磁场退火热处理以消除残余应力和形成磁织构,提高薄膜的应力阻抗效应.薄膜的磁性能采用振动样品磁强计(VSM)进行测试,采用HP4275A型阻抗分析仪在200kHz～10MHz频率范围内测试薄膜的应力阻抗效应.结果表明,磁场退火热处理可形成感生磁各向异性,改善薄膜的软磁性能、提高薄膜的应力阻抗效应.在温度低于300℃时,随着退火温度的增加,薄膜的应力阻抗效应增大;当退火温度超过300℃时,薄膜的应力阻抗效应随退火温度增加而降低.与FeCoSiB单层膜相比,FeCoSiB/Cu/FeCoSiB三明治膜应力阻抗效应较大.10MHz测试频率下,在基片末端位移为450μm时,经300℃热处理的三明治膜达到了8.3%,而单层膜仅有1.86%.当测试频率较高为10和4MHz时,薄膜的应力阻抗效应变化不大,当测试频率下降到低于1MHz时,薄膜的应力阻抗效应显著降低.

参考文献

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