La2Cu1-xVxO4+δ(0≤x≤0.08)的晶体结构及电输运性质

低温物理学报 , 2009, 31(1): 25-28.

La2Cu1-xVxO4+δ(0≤x≤0.08)的晶体结构及电输运性质

朱五林 ^1, , 马永青 ^2, , 李徽 ^3, , 曹帅 ^4,

1.安徽大学物理与材料科学学院,光电信息获取与控制教育部重点实验室,合肥,230039

2.安徽大学物理与材料科学学院,光电信息获取与控制教育部重点实验室,合肥,230039

3.安徽大学物理与材料科学学院,光电信息获取与控制教育部重点实验室,合肥,230039

4.安徽大学物理与材料科学学院,光电信息获取与控制教育部重点实验室,合肥,230039

基金项目: 光电信息获取与控制教育部重点实验基金(060851724) 安徽大学引进人才启动基金(050226033)

关键词：晶体结构 , 相分离 , 超导电性 , 载流子局域化

THE CRYSTAL STRUCTURES AND ELECTRICAL TRANSPORT PROPERTIES OF La2 Cu1-xVx O4+δ(0≤x≤0.08)

本文研究了La2Cu1-xVxOv+δ(0≤x≤0.08)的结构及电输运性质.用Rietveld方法对所有样品的X射线衍射谱进行了拟合.结果表明,全部样品都具有正交对称性,晶胞参数随掺杂量的增加几乎没有变化.随着V掺杂量增加到0.08,而La2Cu1-xVxO4+δ中过量氧的平均值从0.006增加到0.007.没有掺杂的样品由于氧过量而存在相分离状态,体系中存在超导相与绝缘相的竞争相互作用.随着V掺杂量增加,超导相受到破坏,我们认为,V掺杂对超导电性抑制的原因可能是载流子浓度的减少和载流子的局域化所致.

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