脉冲激光制备硅基超薄PtSi薄膜

功能材料, 2001, 32(3): 285-289.

脉冲激光制备硅基超薄PtSi薄膜

李美成 ^1, , 杨建平 ^2, , 王菁 ^3, , 陈学康 ^4, , 赵连城 ^5,

1.哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,

2.兰州物理研究所,激光分子束外延技术实验室,

3.兰州物理研究所,激光分子束外延技术实验室,

4.兰州物理研究所,激光分子束外延技术实验室,

5.哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,

基金项目: 国防科技预研跨行业综合技术项目(18.9.2)

关键词：脉冲激光沉积(PLD) , 激光退火 , 纳米薄膜

Platinum silicide formation during pulsed laser annealing prepared by pulsed laser deposition

用脉冲激光沉积制备了纳米级Pt/Si异质层,对脉冲激光退火形成超薄PtSi薄膜进行了研究.对于Pt、Si互扩散反应形成Pt2Si和PtSi的过程利用XPS进行了测试分析,通过XPS和AFM等分析测试手段对不同参数激光退火形成的PtSi薄膜的结构特性进行观测.我们获得了均匀的、超薄连续的PtSi层且具有平滑的PtSi/Si界面.

参考文献

[1]	Shepher F D;Yang.Inter Electron Devices Meeting Tech Dig[M].,1973:310.
[2]	程开富 .[J].半导体情报,1998,35(02):24.
[3]	王培林,盛文斌,杨晶琦,徐达鸣.纳米级PtSi/Si（111）膜成形工艺与连续性研究[J].半导体学报,1998(06):468.
[4]	Chang Chin-An .[J].Journal of Applied Physics,1986,59(09):3116.
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[6]	Otttaviani G .[J].Journal of Vacuum Science and Technology,1981,18(03):924.
[7]	Canali C;Majni G;Ottaviani G et al.[J].Journal of Applied Physics,1979,50:155.
[8]	Pettifor D G;Podloucky R .[J].Physical Review Letters,1984,53(11):1080.
[9]	丁孙安,许振嘉.（Pt及其硅化物）/硅界面的深能级研究[J].半导体学报,1994(03):149.

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