(Pb,La)TiO3/LaNiO3异质结薄膜的漏电流特征

稀有金属材料与工程, 2008, 37(z2): 233-236.

(Pb,La)TiO3/LaNiO3异质结薄膜的漏电流特征

程铁栋 ^1, , 唐新桂 ^2, , 匡淑娟 ^3, , 熊惠芳 ^4, , 刘秋香 ^5, , 蒋艳平 ^6,

1.广东工业大学,广东,广州,510006

2.广东工业大学,广东,广州,510006

3.广东工业大学,广东,广州,510006

4.广东工业大学,广东,广州,510006

5.广东工业大学,广东,广州,510006

6.广东工业大学,广东,广州,510006

基金项目: 广东省自然科学基金(05001825)

关键词： PLT薄膜 , 界面特性 , 漏电流 , 肖特基发射 , 空间电荷限制电流

Leakage Current Characteristics of(Pb,La)TiO3/LaNiO3(PLT/LNO)Heterostructure Thin Films

采用溶胶-凝胶法(sol-gel),以LaNiO3(LNO)为底电极在/Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上生长了(Pb1-xLax)Ti1-x/4O3(x=28 mol%,简称PLT)薄膜.经过600℃快速退火.从而得到了多晶钙钛矿结构PLT薄膜.薄膜漏电流和电压极性有关,当在Pt电极或LNO电极施加负偏压时,在低电场作用下,Pt/PLT和PLT/LNO界面分别形成肖特基势垒和欧姆接触;在高电场作用下,Pt/PLT和PLT/INO界面的漏电流均呈现空间电荷限制电流导电机制.这是因为用金属氧化物LNO做底电极的缘故.

参考文献

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Leakage Current Characteristics of(Pb,La)TiO3/LaNiO3(PLT/LNO)Heterostructure Thin Films

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