模板法制备CdSe纳米线及其光学性质的研究

稀有金属材料与工程, 2014, 43(2): 413-417.

模板法制备CdSe纳米线及其光学性质的研究

曾云 ^1, , 苏轶坤 ^2, , 吴喜明 ^3, , 汤皎宁 ^4,

1.深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室,广东深圳518060

2.深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室,广东深圳518060

3.深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室,广东深圳518060

4.深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室,广东深圳518060

基金项目: 国家自然科学基金(60906007)

关键词：电沉积 , 半导体 , CdSe纳米线

Preparation and Characterization of CdSe Nanowires by Template Method

Zeng Yun ^1, , Su Yikun ^2, , Wu Ximing ^3, , Tang Jiaoning ^4,

1.深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室,广东深圳518060

2.深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室,广东深圳518060

3.深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室,广东深圳518060

4.深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室,广东深圳518060

Keywords： electrodeposition , semiconductor , CdSe nanowire

利用恒电位沉积方法,在阳极氧化铝(AAO)模板里沉积了CdSe纳米线.对其进行了结构和光学性质的表征,并且用循环伏安法讨论了其沉积机理.结果表明:室温下,0.1 mol·L-1CdSO4+ 0.25 mol·L-1H2SO4+ 50 mmol·L-1 SeO2配比的溶液,0.4 V恒电位沉积,在AAO模板中制备出了CdSe纳米线.EDS的结果表明Cd和Se的化学计量比接近于1∶1；通过XRD确定了所沉积的CdSe为面心立方结构,其择优取向为(111)晶面.紫外可见分光光度计吸收光谱表明其吸收范围在400～700 nm,吸收最大处在500 nm,PL发射谱表明CdSe纳米线的发光峰在400 nm左右.

参考文献

[1]	Alivisatos AP .SEMICONDUCTOR CLUSTERS, NANOCRYSTALS, AND QUANTUM DOTS[J].Science,1996(5251):933-937.
[2]	Lieber CM .The incredible shrinking circuit - Researchers have built nanotransistorsand nanowires. Now they just need to find a way to put them all together[J].Scientific American,2001(3):58-64.
[3]	Pawar SM;Moholkar AV;Suryavanshi UB;Rajpure KY;Bhosale CH .Electrosynthesis and characterization of iron selenide thin films[J].Solar Energy Materials and Solar Cells: An International Journal Devoted to Photovoltaic, Photothermal, and Photochemical Solar Energy Conversion,2007(7):560-565.
[4]	王博,刘芳洋,李劼,赖延清,张治安,刘业翔.Co-Se化合物薄膜的电沉积制备与表征[J].无机材料学报,2011(04):403-410.

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