加热器/坩埚相对位置对φ200mm单晶硅生长过程中温度场和晶体质量的影响

硅酸盐通报 , 2016, 35(11): 3607-3612.

加热器/坩埚相对位置对φ200mm单晶硅生长过程中温度场和晶体质量的影响

高忙忙 ^1, , 朱博 ^2, , 李进 ^3, , 景华玉 ^4, , 董法运 ^5, , 梁森 ^6, , 李海波 ^7,

1.宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川,750021

2.广西大学电气工程学院,南宁,530004

3.宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川,750021

4.宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川,750021

5.宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川,750021

6.宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川,750021

7.宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川,750021

基金项目: 2015宁夏自治区科技攻关项目国家自然科学基金(61366005)

关键词：单晶硅 , 温度梯度 , 固液界面 , 氧含量

Influence of Heater/Crucible Position on the Thermal Field and Crystal Quality in the Preparation of Single Crystal Silicon with φ200 mm

Keywords： single crystal silicon , temperature gradient , solid-liquid interface , oxygen concentration

采用CGSim晶体生长软件,对现有工业单晶炉中的加热器位置进行优化并分析了其对热场、固液界面、晶体中温度梯度和氧含量的影响.结果表明,随加热器的上移,功率消耗略有降低,熔体内的温度梯度逐渐下降,在高埚位的生长条件下可以适当提升拉晶速率;同时,固液界面也趋于平坦,晶体中的温度梯度有所减少,从而可以有效地抑制缺陷的形成.另外,晶体中的氧含量也有一定程度的下降.可以得出,在晶体等径生长初期,提高加热器的位置是降低晶体生长成本和提升晶体品质的途径之一.

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Influence of Heater/Crucible Position on the Thermal Field and Crystal Quality in the Preparation of Single Crystal Silicon with φ200 mm

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