湿法腐蚀制备蓝宝石图形衬底的研究

人工晶体学报, 2010, 39(6): 1443-1445.

湿法腐蚀制备蓝宝石图形衬底的研究

邵慧慧 ^1, , 李树强 ^2, , 曲爽 ^3, , 李毓锋 ^4, , 王成新 ^5, , 徐现刚 ^6,

1.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东华光光电子有限公司,济南,250101

2.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东华光光电子有限公司,济南,250101

3.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东华光光电子有限公司,济南,250101

4.山东华光光电子有限公司,济南,250101

5.山东华光光电子有限公司,济南,250101

6.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东华光光电子有限公司,济南,250101

基金项目: 教育部科技创新工程重大项目(707039) 国家自然科学基金(50721002;50802053) 国家高技术研究发展计划(863)项目(2007AA03Z405)

关键词：湿法腐蚀 , 蓝宝石图形衬底 , GaN , 外延层

Study on Patterned Sapphire Substrate by Wet Etching

利用湿法腐蚀方法,制备出图形化蓝宝石衬底(PSS).在相同的腐蚀时间下,研究腐蚀液温度对腐蚀蓝宝石表面形貌和外延后GaN材料的影响.扫描电镜(SEM)测试结果表明:随着腐蚀液温度的增加,图形的深度增加.腐蚀后图形阵列排布整齐,所有图形都方向一致,这与蓝宝石本身晶体性质有关.腐蚀液温度对外延后GaN的影响也比较大,随着腐蚀液温度的增加,(002)半峰宽逐渐增加,光致发光谱(PL)发光强度逐渐增加.管芯结果表明,LED管芯的光强也逐渐增加.

参考文献

[1]	高海永,闫发旺,张扬,王军喜,曾一平,李晋闽.干法刻蚀图形蓝宝石衬底提高GaN外延层的晶体质量[C].第十届全国MOCVD学术会议论文集,2007:138-142.
[2]	柯利峰,黎建明,苏小平,那木吉拉图,李楠.热交换法生长蓝宝石晶体的位错研究[J].人工晶体学报,2009(03):625-628,647.
[3]	江洋,罗毅,汪莱,李洪涛,席光义,赵维,韩彦军.柱状与孔状图形衬底对MOVPE生长GaN体材料及LED器件的影响[J].物理学报,2009(05):3468-3473.
[4]	Dong-Sing Wuu;Hsueh-Wei Wu;Shin-Ting Chen;Tsung-YenTsai;Xinhe Zheng;Ray-Hua Horng .Defect reduction of laterally regrown GaN on GaN/patterned sapphire substrates[J].Journal of Crystal Growth,2009(10):3063-3066.

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