Pr掺杂CdS薄膜的制备及其光电性能研究

稀土, 2014, 35(4): 62-66.

Pr掺杂CdS薄膜的制备及其光电性能研究

邹凯 ^1, , 李蓉萍 ^2, , 刘永生 ^3, , 田磊 ^4, , 冯松 ^5,

1.内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古呼和浩特010021;内蒙古自治区高等学校半导体光伏技术重点实验室,内蒙古呼和浩特010021

2.内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古呼和浩特010021;内蒙古自治区高等学校半导体光伏技术重点实验室,内蒙古呼和浩特010021

3.内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古呼和浩特010021;内蒙古自治区高等学校半导体光伏技术重点实验室,内蒙古呼和浩特010021

4.内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古呼和浩特010021

5.内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古呼和浩特010021

基金项目: 内蒙古自治区教育厅项目(NJ09006)

关键词： CdS薄膜 , Pr掺杂 , 化学水浴法 , 光学特性

Preparation and Photoelectric Performance Study of Rare Earth Pr Doped CdS Thin Films

Keywords： CdS thin films , Pr-doped , chemical bath deposition , optical properties

结合化学水浴法和真空电子束热蒸发法在玻璃衬底上制备了含有不同厚度Pr掺杂层的CdS多晶薄膜,并对薄膜的结构、表面形貌和光电特性进行了研究.结果表明,未掺杂的CdS薄膜为沿[111]晶向择优生长的立方相闪锌矿结构,导电类型为N型.Pr掺杂并未改变CdS薄膜的物相结构和择优取向,但衍射峰强度增加;掺Pr后CdS薄膜的晶粒尺寸增大,致密性提高,并且薄膜在可见光范围内的透过率增加,光学带隙变大.同时还发现CdS中掺Pr后影响了薄膜的电学性能,掺杂浓度较低时CdS薄膜电阻率增大,掺杂浓度较高时薄膜的电阻率降低并且导电类型由N型转变为P型.

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