SOI在高压器件中的应用

功能材料, 2004, 35(z1): 983-987.

SOI在高压器件中的应用

王石冶 ^1, , 刘卫丽 ^2, , 张苗 ^3, , 林成鲁 ^4, , 宋志棠 ^5,

1.中国科学院,上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

2.中国科学院,上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

3.中国科学院,上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

4.中国科学院,上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

5.中国科学院,上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G20000365) 国家自然科学基金(90101012) 上海市科技发展基金(0252nm084,0359nm004)

关键词： SOI , 高压器 , 击穿电压

The application of SOI in high-voltage devices

综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论.

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