采用固相反应法制备了Mg4Nb2O9基微波介质陶瓷,研究了Bi2O3掺杂对Mg4 Nb2O9陶瓷烧结行为、相结构、显微结构及微波介电性能的影响.实验结果表明:Mg4Nb2O9陶瓷烧结温度随Bi2O3掺杂量的增加而减小,添加2.0wt％ Bi2O3,烧结温度从1350℃降低至1175℃;随Bi2O3添加量从0.0wt％增大到3.0wt％,最强峰(104)晶面间距d值由2.756nm增大至2.769nm;Mg4Nb2O9陶瓷的微波介电性能随Bi2O3掺杂量增加而变化;掺杂2.0wt％ Bi2O3的Mg4 Nb2O9陶瓷在1175℃保温2小时烧结,获得亚微米级陶瓷,且具有最佳的微波介电性能,εr为12.58,Q×f为71949.74GHz.
参考文献
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