退火温度对Ge-SiO2薄膜结构的影响

功能材料, 2002, 33(3): 324-331.

退火温度对Ge-SiO2薄膜结构的影响

汤乃云 ^1, , 叶春暖 ^2, , 吴雪梅 ^3, , 诸葛兰剑 ^4, , 俞跃辉 ^5, , 姚伟国 ^6,

1.苏州大学物理系,江苏,苏州,215006

2.苏州大学物理系,江苏,苏州,215006

3.苏州大学物理系,江苏,苏州,215006

4.苏州大学物理系,江苏,苏州,215006

5.中国科学院上海冶金所,上海,200050

6.苏州大学物理系,江苏,苏州,215006

基金项目: 国家自然科学基金(69876043)

关键词：薄膜 , 溅射 , 退火温度

Influence of annealing temperature on the structure of Ge-SiO2 thin films

用射频磁控溅射制备了Ge-SiO2薄膜.在N2的保护下对薄膜进行了不同温度的退火处理.使用傅里叶变换红外光谱分析(FTIR)技术,X射线衍射谱(XRD),X射线光电子能谱(XPS)分析样品的微结构,研究样品在退火中发生的结构、组分的变化.结果表明退火温度对薄膜的结构,尤其是薄膜中的GeO含量和GeO晶粒的大小的影响是显著的,并对其做了详尽的分析讨论.

参考文献

[1]	Caham L T .[J].Applied Physics Letters,1990,57:1046-1048.
[2]	Pan P G;Chao S S;Takagi Y et al.[J].Journal of Vacuum Science and Technology A-Vacuum Surfaces and Films,1986,4:689.
[3]	Fujii M;Wada M;Haysshi S et al.[J].Physical Review B,1992,46:15930.
[4]	Miyzaki S;Sakamoto K;Shiba K et al.[J].Thin Solid Films,1995,255:9.

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Influence of annealing temperature on the structure of Ge-SiO2 thin films

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