抗灰迹Rb∶KTP晶体的生长及性能研究

硅酸盐通报 , 2013, 32(8): 1672-1675.

抗灰迹Rb∶KTP晶体的生长及性能研究

庞珍丽 ^1, , 师瑞泽 ^2, , 张杰 ^3, , 肖亚波 ^4, , 姜秀丽 ^5,

1.烁光特晶科技有限公司,北京100018

2.烁光特晶科技有限公司,北京100018

3.烁光特晶科技有限公司,北京100018

4.烁光特晶科技有限公司,北京100018

5.烁光特晶科技有限公司,北京100018

基金项目: 科技型中小企业技术创新基金项目(03c26121100833)

关键词：磷酸钛氧钾 , 低电导率 , 抗灰迹 , K6P4O13助溶剂

Growth and Properties Research of Gray-track Resistance Rb∶KTP Crystal

PANG Zhen-li ^1, , SHI Rui-ze ^2, , ZHANG Jie ^3, , XIAO Ya-bo ^4, , JIANG Xiu-li ^5,

1.烁光特晶科技有限公司,北京100018

2.烁光特晶科技有限公司,北京100018

3.烁光特晶科技有限公司,北京100018

4.烁光特晶科技有限公司,北京100018

5.烁光特晶科技有限公司,北京100018

Keywords： KTP , low conductivity , gray-track resistance , K6P4O13 flux system

本文采用K6P4O13(K6)作助熔剂来生长Rb∶KTP晶体,所生长的晶体具有电导率低,吸收系数稳定和好的抗灰迹性能等优点.本文按照生长比例KTP∶K6=1.345∶1(物质的量比),Rb离子浓度为取代溶液中K离子浓度的1.4 mol％左右来进行配料.测量了Rb∶KTP晶体中掺杂的Rb离子浓度为0.87 mol％,经过测试,晶体的电导率达到10-10 S/cm.测试了晶体随时间延长的光能吸收,发现Rb∶KTP晶体的吸收系数比较稳定,并进行了晶体抗灰迹性能激光测试,发现Rb∶KTP晶体较普通KTP晶体具有很好的抗灰迹性能.

参考文献

[1]	葛世艳,师瑞泽,肖亚波,李祯,张杰,姜秀丽,王立弟.K4体系KTP晶体的制备及其性能研究[J].硅酸盐通报,2011(05):1072-1076.
[2]	卢秀权,陈绍和.KTP电光开关[J].中国激光,1999(04):321-324.
[3]	谢兴龙.新型KTP电光偏转器的设计和分析[J].光学学报,1997(11):1571.
[4]	张书峰 .低电导率KTP晶体生长及其性能研究[D].北京工业大学,2003.
[5]	沈德忠.KTP晶体的电光研究进展[J].人工晶体学报,2001(01):28-35.
[6]	苏榕冰,陈昱,陈黎娜,陈金凤,曾文荣,庄健.抗"灰迹"KTP晶体光学性能研究[J].人工晶体学报,2008(01):104-108.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网