InGaAs/GaAs异质薄膜的MBE生长研究

功能材料, 2011, 42(5): 846-849.

InGaAs/GaAs异质薄膜的MBE生长研究

罗子江 ^1, , 周勋 ^2, , 杨再荣 ^3, , 贺业全 ^4, , 何浩 ^5, , 邓朝勇 ^6, , 丁召 ^7,

1.贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025;贵州财经学院,教育管理学院,贵州,贵阳,550004

2.贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025;贵州师范大学,物理与电子科学学院,贵州,贵阳,550001

3.贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025

4.贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025

5.贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025

6.贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025

7.贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025

基金项目: 国家自然科学基金(60866001) 贵州省优秀科技教育人才省长专项基金(黔省专合字(2009)114号) 贵州省委组织部高层人才科研特助资助项目(Z073011;TZJF-2008-31) 贵州省科技厅基金(Z073085) 贵州大学博士基金(X060031) 教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-08-0651)

关键词： MBE , RHEED , STM , InGaAs异质薄膜

The MBE growth research on InGaAs/GaAs heterofilms

利用分子束外延技术,在GaAs(001)基片上外延InGaAs/GaAs异质薄膜,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,确定薄膜中In/Ga的组分比,并提出控制InGaAs薄膜中In/Ga组分比的生长方法.根据RHEED图像,指出获得的InGaAs薄膜处于(2×3)表面重构相.样品经过淬火至室温后对样品做STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的InGaAs/GaAs异质薄膜.

参考文献

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