ZnO掺杂的ZrO2(3Y)纳米复合相材料的中低温电导研究

功能材料, 2003, 34(3): 308-310.

ZnO掺杂的ZrO2(3Y)纳米复合相材料的中低温电导研究

刘毅 ^1, , 劳令耳 ^2, , 袁望治 ^3, , 黄英才 ^4,

1.贵州工业大学基础部,贵州,贵阳,550003

2.贵州工业大学基础部,贵州,贵阳,550003

3.华东师范大学物理系,上海,200065

4.贵州工业大学基础部,贵州,贵阳,550003

关键词：钇稳定氧化锆 , 复合掺杂 , 复阻抗 , 电导率

The conductivity of nano-ZrO2(3Y) sintered body doped with nano-ZnO particles at middle-low temperature

采用交流阻抗技术对掺纳米ZnO的纳米ZrO2(3Y)复合掺杂材料在473～973K温度范围电导率随ZnO第二相质量分数(0.0%～5.0%(质量分数))的变化关系进行了研究.研究发现掺很少量的纳米ZnO(0.5%～1.0%<质量分数)),纳米ZrO2(3Y)材料晶粒和晶界电阻显著增加,电导率降低,原因在于缺陷缔合效应和晶界偏聚效应的加剧,阻碍了氧空位的迁移.随着ZnO掺入量的增加(＞1.0%(质量分数)),晶界电阻显著减小,晶粒电阻变化不大,总电导率回升,在中低温范围,总电导活化能与晶界电导活化能具有相同的变化趋势.

参考文献

[1]	劳令耳,袁望治,田卫,刘毅,王大志,姚琨.掺纳米Al2O3的纳米ZrO2（4Y）固体电解质的电性能[J].硅酸盐学报,2002(01):14-19.
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[3]	袁望治,劳令耳,田卫,刘毅,王大志,姚琨,王正.纳米ZrO2（4Y）两次成型常压烧结致密特性及其电导率[J].材料科学与工程,2000(03):57-60.
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