溅射压强对a-IGZO薄膜的表面粗糙度、氧空位及电学特性的影响

稀有金属, 2016, 45(8): 1992-1996.

溅射压强对a-IGZO薄膜的表面粗糙度、氧空位及电学特性的影响

李玲 ^1, , 薛涛 ^2, , 宋忠孝 ^3, , 刘纯亮 ^4, , 马飞 ^5,

1.山东大学,山东济南250100;西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室,陕西西安710049

2.西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室,陕西西安,710049

3.西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,陕西西安,710049

4.西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室,陕西西安,710049

5.西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,陕西西安,710049

基金项目: National Natural Science Foundation of China (61372018)

关键词： a-IGZO , 薄膜晶体管 , 溅射压强 , 氧空位

Effect of Sputtering Pressure on Surface Roughness,Oxygen Vacancy and Electrical Properties of a-IGZO Thin Films

Keywords： a-IGZO , thin-film transistor , sputtering pressure , oxygen vacancy

详细地研究了溅射压强对a-IGZO薄膜的微结构和电学特性产生的影响.AFM分析表明,薄膜的表面粗糙度随溅射压强的增加而增大.XPS分析表明薄膜中氧空位含量随溅射压强的增加而减少.增加表面粗糙度和减少氧空位对a-IGZO薄膜晶体管的特性有着决定性的作用.当溅射压强保持在0.6 Pa时,得到的薄膜晶体管的特性最佳,电子的饱和迁移率和门限电压分别是3.32 cm2/(V·s)和24.6 V.溅射压强是磁控溅射制备IGZO薄膜及其晶体管的关键影响因素.

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Effect of Sputtering Pressure on Surface Roughness,Oxygen Vacancy and Electrical Properties of a-IGZO Thin Films

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