用高频溅射法制备了ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ／Ｃｕ／ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ膜, 经３５０℃退火２０ｍｉｎ后得到性能优良的巨大磁阻抗材料, 磁畴结构观察表明, 样品中心为均匀的细条畴靠近边缘, 磁畴方向转向横向, 这种畴结构有利于磁力线的闭合, 是获得显著的巨阻抗效应的重要原因之一, 磁阻抗测量表明, 样品在１３ＭＨＺ的频率下, 分别获得了６３％和７％的纵向和横向磁阻抗比.
参考文献
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