K改性的BNT-BZT压电陶瓷制备与性能研究

稀有金属材料与工程, 2007, 36(z1): 425-427.

K改性的BNT-BZT压电陶瓷制备与性能研究

王保卫 ^1, , 褚祥诚 ^2, , 李恩竹 ^3, , 李龙土 ^4, , 桂治轮 ^5,

1.清华大学材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084

2.清华大学材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084

3.清华大学材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084

4.清华大学材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084

5.清华大学材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084

基金项目: 国家自然科学基金(50505021;10676015) 北京市科技新星计划项目(2006B56)

关键词：无铅压电陶瓷 , 钛酸铋钠 , 锆钛酸钡 , 改性

Preparation and Properties of K Doped (Bi,Na)TiO3-Ba(Zr, Ti)O3 Lead-Free Piezoelectric Ceramic

无铅压电陶瓷是压电材料中一个重要的研究方向,为了能够取代目前广泛应用的含铅材料,需要进一步提高无铅陶瓷材料的各项性能,尤其是压电性能.BNT-BZT系陶瓷是钛酸铋钠(BNT)和锆钛酸钡∞ZT)两相形成的固溶体,在BNT-BZT陶瓷体系中,富BNT和低Zr含量的区域存在准同型相界,在相界附近可以得到性能优良的无铅压电陶瓷,其性能d33大约150 pC/N,居里温度在240 ℃左右,介电常数大约900.在BNT-BZT相界点处掺杂K离子,研究了K改性的BNT-BZT体系陶瓷的微观结构与性能.实验结果表明,d33达到165 pC/N;居里温度达到270℃;烧结中出现了玻璃相,预烧温度和烧结温度相对于原体系都有适当降低.

参考文献

[1]	Nagata H;Takenaka T.[A].IEEE,2001:45.
[2]	Tang X;Chew K;Chan H .[J].Acta Materialia,2004,52:5177.
[3]	Sasaki A;Chiba T;Mamiya Y et al.[J].Japanese Journal of Applied Physics,1999,38(9B):5564.

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