N扩散对熔液法生长GaN晶体外延速率的影响

1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050

2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050

3.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050

4.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050

5.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050

The influence of N diffusion on the growth rate of GaN by Na-flux method

1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050

2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050

3.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050

4.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050

5.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050

使用钠熔液液相外延在GaN/蓝宝石衬底上生长出GaN晶体;研究晶体生长速度与生长压力的关系,使用DCXRD对样品进行表征,发现在氮气压力为3.8MPa,温度为800℃的条件下,外延速度较快且结晶质量较高;研究还发现GaN晶体外延层的生长速率不但与溶液中N的输运有关,还与熔液中N的浓度有关.

[1]	Morishita M;Kawamura F;Kawahara M;Yoshimura M;Mori Y;Sasaki T .Promoted nitrogen dissolution due to the addition of Li or Ca to Ga-Na melt; some effects of additives on the growth of GaN single crystals using the sodium flux method[J].Journal of Crystal Growth,2005(1/2):91-99.
[2]	Study of the metastable region in the growth of GaN using the Na flux method[J].Journal of Crystal Growth,2009(22):4647-4651.
[3]	Takahiro Kawamura;Yoshihiro Kangawa;Koichi Kakimoto;Yasuyuki Suzuki .Molecular dynamics simulation of diffusion behavior of N atoms on the growth surface in GaN solution growth[J].Journal of Crystal Growth,2012(1):32-36.

上一张下一张

计量

作者相关

文章评分