亚微米DSOI MOSFET非平衡热电耦合模拟

工程热物理学报 , 2005, 26(6): 1010-1012.

1.清华大学工程力学系过程节能与传热强化教育部重点实验室,北京,100084

2.清华大学工程力学系过程节能与传热强化教育部重点实验室,北京,100084

基金项目: 国家自然科学基金(59995550)

NON-EQUILIBRIUM COUPLED-THERMAL-ELECTRIC SIMULATION OF SUBMICRON DSOI MOSFETS

本文利用电子-光学声子-声学声子散射非平衡能量热电耦合模型数值模拟了DSOI MOSFET,得到了器件静电势、电子浓度和温度分布、声子温度等分布,分析了其热电性质.结果表明在栅极靠漏区是器件热电特性变化最为显著,DSOI器件自热效应很小,具有很好的热电特性,在亚微米器件中的确存在非平衡能量状态.

[1]	陈文松 .MOSFET中的热电性能和器件模型研究[D].北京:清华大学微电子研究所,2000.
[2]	Lai J.;Majumdar A. .CONCURRENT THERMAL AND ELECTRICAL MODELING OF SUB-MICROMETER SILICON DEVICES[J].Journal of Applied Physics,1996(9):7353-7361.
[3]	K. Fushinobu;A. Majumdar;K. Hijikata .Heat generation and transport in submicron semiconductor devices[J].Journal of heat transfer: Transactions of the ASME,1995(1):25-31.
[4]	段传华 .亚微米MOSFET器件非平衡热电耦合数值模拟[D].北京:清华大学力学系,2004.

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